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BSM50GD120DN2E3226

制造商：-
产品：IGBT Silicon Modules
配置：Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
集电极—射极饱和电压：2.5 V

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参考价格

数量单价
6￥798.81
10￥756.72

产品属性

描述	IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A	在25 C的连续集电极电流	50 A
栅极—射极漏泄电流	200 nA	功率耗散	350 W
最大工作温度	+ 150 C	封装 / 箱体	EconoPACK 2
封装	Reel	栅极/发射极最大电压	20 V
安装风格	Screw

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