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  • BSS83P H6327

BSS83P H6327

  • 制造商:-
  • 数据列表:BSS83P
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:SIPMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.0738
  • 6000$0.06642
  • 15000$0.05904
  • 30000$0.05535
  • 75000$0.04908
产品属性
描述MOSFET P-CH 60V 330mA SOT23FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C330mA开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2 欧姆 @ 330mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 80?A闸电荷(Qg) @ Vgs3.57nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds78pF @ 25V功率 - 最大360mW
安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装PG-SOT23-3包装带卷 (TR)
其它名称BSS83P H6327-NDBSS83PH6327XTSA1SP000702486

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