| 描述 | MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 16A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3.6 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1200pF @ 12V | 功率 - 最大 | 2.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装 | PG-TSDSON-8（3.3x3.3） | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | BSZ036NE2LS-NDBSZ036NE2LSATMA1SP000854572 |
