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  • BSZ123N08NS3 G

BSZ123N08NS3 G

  • 制造商:-
  • 数据列表:BSZ123N08NS3G
  • 标准包装:5,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 5000$0.48678
  • 10000$0.46665
  • 25000$0.45384
  • 50000$0.4392
产品属性
描述MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C40A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12.3 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 33?A闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds1700pF @ 40V功率 - 最大66W
安装类型表面贴装封装/外壳8-PowerVDFN
供应商设备封装PG-TSDSON-8(3.3x3.3)包装带卷 (TR)
其它名称BSZ123N08NS3GBSZ123N08NS3GINTRBSZ123N08NS3GXTSP000443632

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