| 描述 | Transistors Darlington NPN GP Darlington | 发射极 - 基极电压 VEBO | 10 V |
|---|---|---|---|
| 集电极—基极电压 VCBO | 30 V | 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最大集电极截止电流 | 0.1 uA | 功率耗散 | 350 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOT-23 | 封装 | Reel |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 5000 | 最小工作温度 | - 65 C |
| 工厂包装数量 | 3000 | 零件号别名 | 3000 PCS T&R |
【Central Semiconductor】CMPTA13 LEADFREE,达林顿晶体管 NPN GP Darlington
【Central Semiconductor】CMPTA14,Transistors Darlington NPN GP Darlington
【Central Semiconductor】CMPTA14E,Transistors Darlington NPN Enhanced Darlington
【Central Semiconductor】CMPTA29 TR,Transistors Darlington NPN 100V 500mA C29
【Central Semiconductor】CMPTA42 LEADFREE,Transistors Bipolar (BJT) NPN GP