| 描述 | Transistors Darlington NPN 100V 500mA C29 | 发射极 - 基极电压 VEBO | 12 V |
|---|---|---|---|
| 集电极—基极电压 VCBO | 100 V | 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最大集电极截止电流 | 0.1 uA | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOT-23 |
| 封装 | Reel | 直流集电极/Base Gain hfe Min | 10000 |
| 最小工作温度 | - 65 C | 工厂包装数量 | 3000 |
【Central Semiconductor】CMPTA42 LEADFREE,Transistors Bipolar (BJT) NPN GP
【Central Semiconductor】CMPTA42 T&R 3000 PCS,Transistors Bipolar (BJT) NPN Gen Purpose
【Central Semiconductor】CMPTA42E,Transistors Bipolar (BJT) NPN Enhanced High Voltage
【Central Semiconductor】CMPTA42E LEADFREE,双极小信号 NPN Enhanced High Voltage
【Central Semiconductor】CMPTA44,Transistors Bipolar (BJT) NPN High Voltage