| 描述 | 双极小信号 NPN Enhanced High Voltage | 封装 / 箱体 | SOT-23 |
|---|---|---|---|
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 350 V | 发射极 - 基极电压 VEBO | 6 V |
| 集电极连续电流 | 0.45 A | 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 功率耗散 | 350 mW | 最大工作频率 | 75 MHz |
| 最大工作温度 | + 150 C | 封装 | Reel |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 50 at 1 mA at 10 V | 最小工作温度 | - 65 C |
| Standard Pack Qty | 3000.0 |
【Central Semiconductor】CMPTA44,Transistors Bipolar (BJT) NPN High Voltage
【Central Semiconductor】CMPTA44 TR,Transistors Bipolar (BJT) NPN High Voltage
【Central Semiconductor】CMPTA46,Transistors Bipolar (BJT) NPN Extremely High Voltage
【Central Semiconductor】CMPTA56,Transistors Bipolar (BJT) PNP Med Power
【Central Semiconductor】CMPTA56 T&R 3000 PCS,Transistors Bipolar (BJT) PNP Med Power