| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) NPN Enhanced High Voltage | 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
|---|---|---|---|
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 50 at 1 mA at 10 V | 配置 | Single |
| 最大工作频率 | 75 MHz | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOT-23 |
| 封装 | Reel | 集电极连续电流 | 0.45 A |
| 最小工作温度 | - 65 C | 功率耗散 | 350 mW |
| 工厂包装数量 | 3000 |
【Central Semiconductor】CMPTA42E LEADFREE,双极小信号 NPN Enhanced High Voltage
【Central Semiconductor】CMPTA44,Transistors Bipolar (BJT) NPN High Voltage
【Central Semiconductor】CMPTA44 TR,Transistors Bipolar (BJT) NPN High Voltage
【Central Semiconductor】CMPTA46,Transistors Bipolar (BJT) NPN Extremely High Voltage
【Central Semiconductor】CMPTA56,Transistors Bipolar (BJT) PNP Med Power