| 描述 | Transistors Darlington NPN Enhanced Darlington | 发射极 - 基极电压 VEBO | 10 V |
|---|---|---|---|
| 集电极—基极电压 VCBO | 40 V | 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最大集电极截止电流 | 0.1 uA | 功率耗散 | 350 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOT-23 | 封装 | Reel |
| 集电极连续电流 | 0.45 A | 直流集电极/Base Gain hfe Min | 30000 |
| 最小工作温度 | - 65 C | 工厂包装数量 | 3000 |
【Central Semiconductor】CMPTA29 TR,Transistors Darlington NPN 100V 500mA C29
【Central Semiconductor】CMPTA42 LEADFREE,Transistors Bipolar (BJT) NPN GP
【Central Semiconductor】CMPTA42 T&R 3000 PCS,Transistors Bipolar (BJT) NPN Gen Purpose
【Central Semiconductor】CMPTA42E,Transistors Bipolar (BJT) NPN Enhanced High Voltage
【Central Semiconductor】CMPTA42E LEADFREE,双极小信号 NPN Enhanced High Voltage