| 描述 | MOSFET N-CH 25V 40A 8SON | 家庭 | FET - 阵列 |
|---|---|---|---|
| 系列 | NexFET? | FET 型 | 2 N 沟道（半桥） |
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 40A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 6 毫欧 @ 20A，8V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.1V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 10.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1870pF @ 12.5V | 功率 - 最大 | 13W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.236"，6.00mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SON（5x6） | 包装 | Digi-Reel? |
| 其它名称 | 296-27532-6 |
面有所突破，从而为终端设备实现更低的功耗和更高的可靠性。” tps56221与 tps56121的主要特性与优势： △ 强电流与高效率：4.5v-14v 输入电压时，在25a 与15a 峰值负载电流下，效率可超过90%； △ 小尺寸与更高功率密度：总体解决方案尺寸仅为315 mm2，可将封装最大限度地缩小，同时实现超过200w/in3 的功率密度； nexfet 功率块支持多相位50a、100a 及更强电流 除 swift 转换器的强电流性能之外，ti 去年推出的 csd86350q5d nexfet 功率块还可在更强电流下实现高效率的多相位负载点设计。小巧的5毫米 x 6毫米堆栈型 mosfet 采用接地引线框架 son 封装，支持高达1.5mhz 的频率，可降低热阻抗并简化布局。csd86350q5d在25a 电流下效率超过90%，且还能与 ti 的 tps40140堆栈控制器相结合，在保持整个负载高效率的同时，支持多相位设计；其电流可扩展至50a、100a 以及更高。 广泛的降压转换器产品系列 ti 可提供业界最广泛的降压转换器，其中包括集成fet 的 dc/ ...
csd86350q5d是nexfet?半桥区块，25a时的效率90%,高达40a,工作频率高达1.5mhz,5v栅极驱动，rohs兼容，主要用在同步降压转换器，大电流低占空比电源，多相同步降压转换器，pol dc/dc转换器，以及imvp, vrm和vrd应用。 csd86350q5d应用： synchronous buck converters high frequency applications high current, low duty cycle applications multiphase synchronous buck converters pol dc-dc converters imvp, vrm, and vrd applications 来源:朦烟 ...
