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  • CSD86350Q5DT

CSD86350Q5DT

  • 制造商:-
  • 现有数量:250现货2,000Factory
  • 价格:1 : ¥23.53000剪切带(CT)250 : ¥16.44296卷带(TR)
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
产品属性
描述25V POWERBLOCK N CH MOSFET技术MOSFET(金属氧化物)
配置2 个 N 通道(半桥)FET 功能-
漏源电压(Vdss)25V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)40A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5 毫欧 @ 25A,5V,1.1 毫欧 @ 25A,5V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250μA,1.6V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)10.7nC @ 4.5V,25nC @ 4.5V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1870pF @ 12.5V,4000pF @ 12.5V
功率 - 最大值13W(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳8-PowerLDFN
供应商器件封装8-LSON(5x6)

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