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DDTD113ZC-7-F

制造商：-
标准包装：3,000
类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
系列：-
晶体管类型：NPN - 预偏压

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无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

数量单价
3000$0.0506
6000$0.044
15000$0.0374
30000$0.0352
75000$0.033

产品属性

描述	TRANS NPN 200MW R1/R2 SOT23-3	电流 - 集电极 (Ic)（最大）	500mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	50V	电阻器 - 基极 (R1)（欧）	1k
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）	10k	在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)	56 @ 50mA，5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）	300mV @ 2.5mA，50mA	电流 - 集电极截止（最大）	500nA
频率 - 转换	200MHz	功率 - 最大	200mW
安装类型	表面贴装	封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装	SOT-23-3	包装	带卷 (TR)
其它名称	DDTD113ZC-7-F-NDDDTD113ZC-7-FDITR

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