描述 | MOSFET DL N-CH 60V 440MA SOT-563 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 410mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 1.8 毫欧 @ 500mA,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.8V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 0.45nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 32pF @ 25V |
功率 - 最大 | 580mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 | 供应商设备封装 | SOT-563 |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | DMG1026UV-7DITR |