描述 | MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
---|---|---|---|
配置 | 2 N 和 2 P 沟道(半桥) | FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A,4.2A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 25 毫欧 @ 5A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 11.7nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 590pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 1.5W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |