| 描述 | MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N 和 2 P 沟道（半桥） | FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.5A（Ta），3.7A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 毫欧 @ 3.9A，10V，65 毫欧 @ 4.2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 12.5nC @ 10V，11.1nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 574pF @ 20V，587pF @ 20V |
| 功率 - 最大值 | 1.5W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
