描述 | GENERAL PURPOSE (DUAL DIGITAL TR | 晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
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电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 | 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 千欧 |
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V | 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500μA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 150mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 | 供应商器件封装 | EMT6 |
【ON Semiconductor】EMD4DXV6T1,Transistors Switching (Resistor Biased) Dual Complementary
【ON Semiconductor】EMD4DXV6T1G,TRANS BRT NPN/PNP DL 50V SOT-563
【ON Semiconductor】EMD4DXV6T5,Transistors Switching (Resistor Biased) Dual Complementary
【ON Semiconductor】EMD4DXV6T5G,TRANS BRT NPN/PNP DL 50V SOT-563