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  • EPC2007

EPC2007

  • 制造商:-
  • 产品培训模块:Paralleling eGaN? FETs
  • 标准包装:1
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:eGaN?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$3.15
  • 10$2.7
  • 100$2.205
  • 500$1.71
产品属性
描述TRANS 100V 30MO BUMPED DIEFET 型GaNFET N 通道,氮化镓
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C30 毫欧 @ 6A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1.2mA闸电荷(Qg) @ Vgs2.1nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds205pF @ 50V功率 - 最大-
安装类型表面贴装封装/外壳模具剖面(5 焊条)
供应商设备封装模具剖面(5 焊条)包装Digi-Reel?
其它名称917-1015-6

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