您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > epc2012
  • EPC2012

EPC2012

  • 制造商:-
  • 产品培训模块:Paralleling eGaN? FETs
  • 标准包装:1
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:eGaN?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$4.5
  • 10$4.05
  • 100$3.3
  • 250$3
  • 500$2.625
产品属性
描述TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIEFET 型GaNFET N 通道,氮化镓
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 3A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs1.5nC @ 100V
输入电容 (Ciss) @ Vds128pF @ 100V功率 - 最大-
安装类型表面贴装封装/外壳模具
供应商设备封装模具包装Digi-Reel?
其它名称917-1017-6

epc2012的相关型号: