描述 | TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE | FET 型 | GaNFET N 通道,氮化镓 |
---|---|---|---|
FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3A | 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 100 毫欧 @ 3A,5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.5V @ 1mA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 1.5nC @ 100V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 128pF @ 100V | 功率 - 最大 | - |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 模具 |
供应商设备封装 | 模具 | 包装 | Digi-Reel? |
其它名称 | 917-1017-6 |