| 描述 | MOSFET N-Channel PowerTrench | 漏极连续电流 | 80 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.0032 Ohms at 10 V | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 175 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | TO-263 | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 13 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 310 W | 上升时间 | 93 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDB035N10A,MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB039N06,MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB045AN08A0,MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB045AN08A0_F085,MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB045AN08A0_Q,MOSFET N-Channel UltraFET
【Fairchild Semiconductor】FDB047N10,MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK