| 描述 | MOSFET N-Channel UltraFET | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.0039 Ohms at 10 V |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | TO-263AB |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 45 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 310 W |
| 上升时间 | 88 ns | 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDB047N10,MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB050AN06A0,MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB060AN08A0,MOSFET N-CH 75V 80A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB070AN06A0,MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB070AN06A0_Q,MOSFET N-Channel PT 6V 8A 7mOhm