| 描述 | MOSFET N-Channel PowerTrench | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.0115 Ohms at 10 V |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | TO-263AB |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 26 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 115 W |
| 上升时间 | 96 ns | 典型关闭延迟时间 | 44 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDB14AN06LA0,MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB14AN06LA0_F085,MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB14N30TM,MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB150N10,MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB15N50,MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB16AN08A0,MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB
