| 描述 | MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 250V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 42.5 毫欧 @ 25A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 101nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 7280pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 260W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 供应商设备封装 | D?PAK |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDB2710TR |
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新的fdb2614(200v)和fdb2710(250v)n沟道mosfet，这两款产品经专门设计，可为等离子体显示板(pdp)应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间。利用飞兆半导体专利的powertrench工艺技术，这些mosfet比较市场上同类型器件提供最低的导通阻抗rds(on)(fdb2614的典型值为22.9毫欧；fdb2710的典型值为36.3毫欧)。超低的rds(on) 加上极低的栅极电荷(qg)，使得该器件具有同级产品最佳的品质因数(fom)，因而在pdp系统中能获得更低的传导损耗和出色的开关性能。器件极低的导通阻抗配合超小型的芯片尺寸，再加上200v或250v的击穿电压，可以封装在占位面积更小的d2pak封装中。powertrench mosfet的另一个优势是能够承受高速电压 (dv/dt) 和电流 (di/dt) 开关瞬态响应，有助于提高系统的可靠性。 飞兆半导体功率产品部副总裁taehoon kim表示：“飞兆半导体的fdb2614和fdb2710 mosfet具有领先的fo ...
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新的fdb2614(200v)和fdb2710(250v) n沟道mosfet，这两款产品经专门设计，可为等离子体显示板(pdp)应用提供良好的系统效率和优化的占位空间。利用飞兆半导体专利的powertrench工艺技术，这些mosfet比较市场上同类型器件提供最低的导通阻抗rds(on)(fdb2614的典型值为22.9毫欧；fdb2710的典型值为36.3毫欧)。超低的rds(on)加上极低的栅极电荷(qg)，使得该器件具有同级产品最佳的品质因数(fom)，因而在pdp系统中能获得更低的传导损耗和良好的开关性能。器件极低的导通阻抗配合超小型的芯片尺寸，再加上200v或250v的击穿电压，可以封装在占位面积更小的d2pak封装中。powertrench mosfet的另一个优势是能够承受高速电压(dv/dt)和电流(di/dt)开关瞬态响应，有助于提高系统的可*性。 fdb2614和fdb2710的主要功能和优势包括： 最低导通阻抗rds(on)及低栅极电荷，具备同级产品最佳的fom(rds(on)xqg ...
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新的fdb2614(200v)和fdb2710(250v)n沟道mosfet，这两款产品经专门设计，可为等离子体显示板(pdp)应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间。利用飞兆半导体专利的powertrench工艺技术，这些mosfet比较市场上同类型器件提供最低的导通阻抗rds(on)(fdb2614的典型值为22.9毫欧；fdb2710的典型值为36.3毫欧)。超低的rds(on) 加上极低的栅极电荷(qg)，使得该器件具有同级产品最佳的品质因数(fom)，因而在pdp系统中能获得更低的传导损耗和出色的开关性能。器件极低的导通阻抗配合超小型的芯片尺寸，再加上200v或250v的击穿电压，可以封装在占位面积更小的d2pak封装中。powertrench mosfet的另一个优势是能够承受高速电压 (dv/dt) 和电流 (di/dt) 开关瞬态响应，有助于提高系统的可靠性。 飞兆半导体功率产品部副总裁taehoon kim表示：“飞兆半导体的fdb2614和fdb2710 mosfet具有领先的fom及采用紧凑 ...
