您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > fdb33n25tm
  • FDB33N25TM

FDB33N25TM

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 800$0.97091
  • 1600$0.89103
  • 2400$0.82958
  • 5600$0.79885
  • 20000$0.76813
描述MOSFET N-CH 250V 33A D2PAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)250V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C33A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C94 毫欧 @ 16.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs48nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds2135pF @ 25V
功率 - 最大235W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装D?PAK
包装带卷 (TR)其它名称FDB33N25TMTR

fdb33n25tm的相关型号: