| 描述 | MOSFET N-CH 30V 4.6A SUPERSOT6 | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.6A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 31 毫欧 @ 4.6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 7.9 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 535 pF @ 15 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 960mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SuperSOT?-6 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
【Fairchild Semiconductor】FDC3512_F095,MOSFET N-CH 80V 3A 6-SSOT
【Fairchild Semiconductor】FDC3601N,MOSFET N-CH DUAL 100V SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC3612,MOSFET N-CH 100V 2.6A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC3612_F095,MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-SSOT
【Fairchild Semiconductor】FDC3616N,MOSFET N-CH 100V 3.7A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC3616N_Q,MOSFET 100V NCh PowerTrench