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FDC6318P_Q

描述MOSFET SuperSOT-3电阻汲极/源极 RDS(导通)0.09 Ohms
配置Dual最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SSOT-6
封装Reel下降时间14 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散0.96 W
上升时间14 ns典型关闭延迟时间21 ns

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