描述 | MOSFET N-CH DUAL 20V SSOT-6 | FET 型 | 2 个 N 沟道(双) |
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FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3A | 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 70 毫欧 @ 3A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 4.6nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 324pF @ 10V | 功率 - 最大 | 700mW |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
供应商设备封装 | 6-SSOT | 包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | FDC6401N-NDFDC6401NTR |
【Fairchild Semiconductor】FDC6401N_NL,MOSFET Dual N-Ch 2.5V PowerTrench MOSFET
【Fairchild Semiconductor】FDC6401N_Q,MOSFET Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench
【Fairchild Semiconductor】FDC640P,MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC640P_F095,MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-SSOT
【Fairchild Semiconductor】FDC6420C,MOSFET N/P-CH 20V 3.0A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC642P_F085,MOSFET P-CH 20V 4A 6SSOT