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  • FDC6401N

FDC6401N

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.16275
  • 6000$0.15225
  • 15000$0.14175
  • 30000$0.1344
  • 75000$0.13125
描述MOSFET N-CH DUAL 20V SSOT-6FET 型2 个 N 沟道(双)
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C70 毫欧 @ 3A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs4.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds324pF @ 10V功率 - 最大700mW
安装类型表面贴装封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装6-SSOT包装带卷 (TR)
其它名称FDC6401N-NDFDC6401NTR

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