描述 | MOSFET N-CH 30V 90A DPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 50A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 5 毫欧 @ 25A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 43nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2875pF @ 15V |
功率 - 最大 | 65W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FDD068AN03L,MOSFET N-CH 30V 35A D-PAK
【Fairchild Semiconductor】FDD107AN06LA0,MOSFET N-CH 60V 10.9A D-PAK
【Fairchild Semiconductor】FDD10AN06A0,MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
【Fairchild Semiconductor】FDD10AN06A0_Q,MOSFET 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V
【Fairchild Semiconductor】FDD10N20LZTM,MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3