| 描述 | MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252 | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.8A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 160 毫欧 @ 3.4A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 3.61 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 225 pF @ 50 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 14.9W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-252AA |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
【Fairchild Semiconductor】FDD16AN08A0,MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK
【Fairchild Semiconductor】FDD16AN08A0_F085,MOSFET Trans N-Ch 75V 9A
【Fairchild Semiconductor】FDD16AN08A0_NF054,MOSFET N-CH 75V 50A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FDD16AN08A0_Q,MOSFET 75V 50a .16Ohms/VGS=1V
【Fairchild Semiconductor】FDD20AN06A0,MOSFET N-CH 60V 45A D-PAK
