| 描述 | MOSFET N-CH 30V 12A DPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 14.5 毫欧 @ 12A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 28nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1230pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | TO-252 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FDD6030L_Q,MOSFET 30V N&P-Channel Power Trench
【Fairchild Semiconductor】FDD6035AL,MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDD6035AL_Q,MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDD6512A,MOSFET N-CH 20V 10.7A D-PAK
【Fairchild Semiconductor】FDD6530A_Q,MOSFET 20V N-Ch PowerTrench