| 描述 | MOSFET 30V N&P-Channel Power Trench | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.0145 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | TO-252AA |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 12 ns |
| 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 47 S | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 3.2 W | 上升时间 | 7 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 29 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDD6035AL,MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDD6035AL_Q,MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDD6512A,MOSFET N-CH 20V 10.7A D-PAK
【Fairchild Semiconductor】FDD6530A_Q,MOSFET 20V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDD6606_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench