您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > fdd6606_q

FDD6606_Q

描述MOSFET 30V N-Ch PowerTrench电阻汲极/源极 RDS(导通)0.006 Ohms
配置Single最大工作温度+ 175 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体TO-252AA
封装Reel下降时间18 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散71 W
上升时间12 ns典型关闭延迟时间38 ns

fdd6606_q的相关型号: