| 描述 | MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9.5A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 20 毫欧 @ 9.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 9.4nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 660pF @ 15V | 功率 - 最大 | 1.3W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | TO-252-3 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FDD6612A-NDFDD6612ATR |
