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  • FDD6512A

FDD6512A

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 20V 10.7A D-PAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C21 毫欧 @ 10.7A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs19nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds1082pF @ 10V
功率 - 最大1.6W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装D-Pak
包装带卷 (TR)

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