| 描述 | MOSFET N-CH 500V 6A DPAK | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 900 毫欧 @ 3A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 16.6 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9400 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 89W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-252AA |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
【Fairchild Semiconductor】FDD7030BL_Q,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDD7N20TM,MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
【Fairchild Semiconductor】FDD7N25LZTM,MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK-3
【Fairchild Semiconductor】FDD7N60NZTM,MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3
【Fairchild Semiconductor】FDD8424H,MOSFET DUAL N/P-CH 40V TO252-4L