描述 | MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK-3 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 250V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.2A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 550 毫欧 @ 3.1A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 16nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 635pF @ 25V |
功率 - 最大 | 56W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 供应商设备封装 | TO-252,(D-Pak) |
包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FDD7N60NZTM,MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3
【Fairchild Semiconductor】FDD8424H,MOSFET DUAL N/P-CH 40V TO252-4L
【Fairchild Semiconductor】FDD8424H_F085,MOSFET N/P-CH DUAL 40V DPAK-4
【Fairchild Semiconductor】FDD8424H_F085A,MOSFET Dual N&PCH PwrTrench +/- 40V,20A
【Fairchild Semiconductor】FDD8426H,MOSFET N/P-CH DUAL 40V TO-252-4
【Fairchild Semiconductor】FDD8444_F085,MOSFET N-CH 40V 145A DPAK