| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3A SSOT-6 | FET 特点 | 二极管（隔离式） |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 150 毫欧 @ 3A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 4.7nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 445pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 800mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 供应商设备封装 | 6-SSOT |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDFC2P100TR |
【Fairchild Semiconductor】FDFC3N108,MOSFET N-CH 20V 3A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDFM2N111,MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
【Fairchild Semiconductor】FDFM2P110,MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP
【Fairchild Semiconductor】FDFMA2N028Z,MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2
【Fairchild Semiconductor】FDFMA2P029Z,MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP
【Fairchild Semiconductor】FDFMA2P853,MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6
