| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET | FET 类型 | P 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.1A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 95 毫欧 @ 3.1A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 10 nC @ 4.5 V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 720 pF @ 10 V | FET 功能 | 肖特基二极管（隔离式） |
| 功率耗散（最大值） | 1.4W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 6-MicroFET（2x2） |
| 封装/外壳 | 6-VDFN 裸露焊盘 |
【Fairchild Semiconductor】FDFMA2P853,MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6
【Fairchild Semiconductor】FDFMA2P853T,MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET
【Fairchild Semiconductor】FDFMA2P857,MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2
【Fairchild Semiconductor】FDFMA2P859T,MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
【Fairchild Semiconductor】FDFMA3N109,MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2
【Fairchild Semiconductor】FDFMC2P120,MOSFET -20V Integr P-Ch PT MOSFET-Schtky Dio
【Fairchild Semiconductor】FDFME2P823ZT,MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
【Fairchild Semiconductor】FDFME3N311ZT,MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
