描述 | MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET | FET 特点 | 二极管(隔离式) |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 120 毫欧 @ 3A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 6nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 435pF @ 10V |
功率 - 最大 | 700mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 | 供应商设备封装 | 6-MicroFET(2x2) |
包装 | 带卷 (TR) |
先进的powertrench mosfet工艺技术,获得极低的rds(on) 值、栅级电荷 (qg) 和米勒电荷 (qgd) — 这些都显箸减少传导损耗和提升开关性能。 fdma6023pzt 是飞兆半导体全面的 microfet mosfet 产品系列的一员,在应对当今功能丰富之便携应用的功率设计挑战方面起着关键的作用,该产品系列包括20v p沟道 powertrench mosfet 器件fdma1027pt,以及带有肖特基二极管的20v p沟道powertrench mosfet器件fdfma2p853t。与常用于低压设计的3mm x 3mm x 1.1mm mosfet器件相比,这些产品的面积减小了 55% 而高度则降低达50%。 价格 (订购1000个,每个):0.48美元 供货:现提供样品 交货期:收到订单后8至10周内 ...
复杂度,可在智能手机应用中替代多芯片解决方案。此sd卡多路复用器采用最佳的24脚umlp封装,非常适合板卡空间受限的智能手机和其它sd卡应用设计。 fxl3sd206采用功率管理和信号路径专门技术,并结合先进封装,它是体现飞兆半导体包括高效设计、提供先进解决方案和缩短便携产品开发周期之能力的范例。飞兆半导体的其它产品包括:低vinldo开关稳压器fan2564,能提供开关稳压器的效率,而占位面积仅为一个ldo的大小;20vp沟道powertrench?mosfet器件fdma1027pt和fdfma2p853t,具有业界最薄外形和出色的功耗特性;以及能够延长生物传感器模块中电池寿命的fpf202x系列先进负载开关。 价格(订购1000个):每个0.39美元 供货:现提供样品 交货期:收到订单后8周内 ...
复杂度,可在智能手机应用中替代多芯片解决方案。此sd卡多路复用器采用最佳的24脚umlp封装,非常适合板卡空间受限的智能手机和其它sd卡应用设计。 fxl3sd206采用功率管理和信号路径专门技术,并结合先进封装,它是体现飞兆半导体包括高效设计、提供先进解决方案和缩短便携产品开发周期之能力的范例。飞兆半导体的其它产品包括:低vinldo开关稳压器fan2564,能提供开关稳压器的效率,而占位面积仅为一个ldo的大小;20vp沟道powertrench?mosfet器件fdma1027pt和fdfma2p853t,具有业界最薄外形和出色的功耗特性;以及能够延长生物传感器模块中电池寿命的fpf202x系列先进负载开关。 价格(订购1000个):每个0.39美元 供货:现提供样品 交货期:收到订单后8周内 ...
中替代多芯片解决方案。此sd卡多路复用器采用最佳的24脚umlp封装,非常适合板卡空间受限的智能手机和其它sd卡应用设计。 fxl3sd206 采用功率管理和信号路径专门技术,并结合先进封装,它是体现飞兆半导体包括高效设计、提供先进解决方案和缩短便携产品开发周期之能力的范例。飞兆半导体的其它产品包括:低vin ldo开关稳压器fan2564,能提供开关稳压器的效率,而占位面积仅为一个ldo的大小;20vp沟道powertrench mosfet器件fdma1027pt 和 fdfma2p853t,具有业界最薄外形和出色的功耗特性;以及能够延长生物传感器模块中电池寿命的fpf202x系列先进负载开关。 价格 (订购1000个):每个0.39美元 供货:现提供样品 交货期:收到订单后8周内 ...
【Fairchild Semiconductor】FDFMA2P857,MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2
【Fairchild Semiconductor】FDFMA2P859T,MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
【Fairchild Semiconductor】FDFMA3N109,MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2
【Fairchild Semiconductor】FDFMC2P120,MOSFET -20V Integr P-Ch PT MOSFET-Schtky Dio
【Fairchild Semiconductor】FDFME2P823ZT,MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
【Fairchild Semiconductor】FDFME3N311ZT,MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
【Fairchild Semiconductor】FDFMJ2P023Z,MOSFET -20V Integrated P-Channel