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  • FDFMA3N109

FDFMA3N109

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.20414
  • 6000$0.19097
  • 15000$0.1778
  • 30000$0.16858
  • 75000$0.16463
描述MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点二极管(隔离式)漏极至源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.9A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C123 毫欧 @ 2.9A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs3nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds220pF @ 15V功率 - 最大650mW
安装类型表面贴装封装/外壳6-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装6-MicroFET(2x2)包装带卷 (TR)
其它名称FDFMA3N109FSTRFDFMA3N109TRFDFMA3N109TR-ND

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