描述 | MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET | FET 特点 | 二极管(隔离式) |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 142 毫欧 @ 2.3A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 7.7nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 405pF @ 10V |
功率 - 最大 | 600mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-UMLP,6-MicroFET? | 供应商设备封装 | 6-MicroFET(1.6x1.6) |
包装 | 带卷 (TR) |