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FDFME2P823ZT

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 5000$0.2295
描述MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFETFET 特点二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C142 毫欧 @ 2.3A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs7.7nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds405pF @ 10V
功率 - 最大600mW安装类型表面贴装
封装/外壳6-UMLP,6-MicroFET?供应商设备封装6-MicroFET(1.6x1.6)
包装带卷 (TR)

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