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  • FDFS2P102

FDFS2P102

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOICFET 特点二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C125 毫欧 @ 3.3A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs10nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds270pF @ 10V
功率 - 最大900mW安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SOICN
包装带卷 (TR)其它名称FDFS2P102TRFDFS2P102_NLFDFS2P102_NLTRFDFS2P102_NLTR-ND

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