描述 | MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V | 漏极连续电流 | - 0.6 A |
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电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.42 Ohms | 配置 | Dual |
最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SC-70-6 | 封装 | Reel |
下降时间 | 14 ns | 正向跨导 gFS(最大值/最小值) | 1.8 S |
最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 0.3 W |
上升时间 | 14 ns | 典型关闭延迟时间 | 6 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDG6308P,MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6
【Fairchild Semiconductor】FDG6308P_Q,MOSFET Dual P-Ch 1.8V Spec Power Trench
【Fairchild Semiconductor】FDG6313N,MOSFET N-CH DUAL 25V SC70-6
【Fairchild Semiconductor】FDG6314P,MOSFET P-CH DUAL 25V SC70-6
【Fairchild Semiconductor】FDG6316P,MOSF P CH DUAL 12V 700MA SC70-6
【Fairchild Semiconductor】FDG6316P_Q,MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
【Fairchild Semiconductor】FDG6317NZ,MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6