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FDG6308P_Q

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥2.07
  • 25¥1.93
  • 100¥1.38
  • 250¥1.31
描述MOSFET Dual P-Ch 1.8V Spec Power Trench漏极连续电流- 0.6 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.4 Ohms配置Dual
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SC-70-6封装Reel
下降时间15 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)2.1 S
最小工作温度- 55 C功率耗散0.3 W
上升时间15 ns典型关闭延迟时间7 ns

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