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FDG6316P_Q

描述MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V漏极连续电流- 0.7 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.27 Ohms配置Dual
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SC-70-6封装Reel
下降时间13 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)2.5 S
最小工作温度- 55 C功率耗散0.3 W
上升时间13 ns典型关闭延迟时间8 ns

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