您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > fdg6318p
  • FDG6318P

FDG6318P

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.18197
  • 6000$0.17023
  • 15000$0.15849
  • 30000$0.15027
  • 75000$0.14675
描述MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6FET 型2 个 P 沟道(双)
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C500mA开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C780 毫欧 @ 500mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs1.2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds83pF @ 10V功率 - 最大300mW
安装类型表面贴装封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装SC-70-6包装带卷 (TR)
其它名称FDG6318P-NDFDG6318PFSTR

fdg6318p的相关型号: