| 描述 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 80A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3.8 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 124nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 6400pF @ 25V | 功率 - 最大 | 310W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I?Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装 | I2PAK | 包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FDI040N06,MOSFET PT3 Low Qg 60V, 4.0Mohm
【Fairchild Semiconductor】FDI045N10A,MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
【Fairchild Semiconductor】FDI045N10A_F102,MOSFET N-Channel PwrTrench 100V 164A 4.5mOhm
【Fairchild Semiconductor】FDI047AN08A0,MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB
【Fairchild Semiconductor】FDI047AN08A0_F085,MOSFET 75V N-Ch PowerTrench