| 描述 | MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 79A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 16 毫欧 @ 33A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 107nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 5870pF @ 25V | 功率 - 最大 | 310W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I?Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装 | I2PAK | 包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FDI2532_Q,MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench
【Fairchild Semiconductor】FDI33N25TU,MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDI3632,MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB
【Fairchild Semiconductor】FDI3652,MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA
【Fairchild Semiconductor】FDI8441,MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB
【Fairchild Semiconductor】FDI8441_F085,MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB