| 描述 | MOSFET N-CH 600V 47A I4PAC | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 47A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 毫欧 @ 44A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 3mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 190 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6800 pF @ 100 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | - | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | ISOPLUS i4-PAC? |
| 封装/外壳 | ISOPLUSi5-Pak? |
【Fairchild Semiconductor】FDM606P,MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET
【Fairchild Semiconductor】FDM606P_Q,MOSFET P-Ch Power Trench Logic Level 1.8V
【Fairchild Semiconductor】FDM6296,MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33
【Fairchild Semiconductor】FDMA0104,MOSFET 20V Single NCh PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDMA1023PZ,MOSFET P-CHAN DUAL MICROFET2X2
