| 描述 | MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 30 毫欧 @ 6.8A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 30nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2200pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1.92W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-MLP，MicroFET? | 供应商设备封装 | 8-MLP，MicroFET（3x2） |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FDM606P_Q,MOSFET P-Ch Power Trench Logic Level 1.8V
【Fairchild Semiconductor】FDM6296,MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33
【Fairchild Semiconductor】FDMA0104,MOSFET 20V Single NCh PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDMA1023PZ,MOSFET P-CHAN DUAL MICROFET2X2
【Fairchild Semiconductor】FDMA1024NZ,MOSFET N-CH DUAL 20V 6-MICROFET