| 描述 | MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET | FET 类型 | P 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 12 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 16 毫欧 @ 10A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 29 nC @ 6 V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3405 pF @ 6 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.4W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 6-MicroFET（2x2） |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
【Fairchild Semiconductor】FDMB2307NZ,MOSFET 20V 2xCommon Drn Nch PowerTrench MOSFET
【Fairchild Semiconductor】FDMB3800N,MOSFET N-CH DUAL 30V MICROFET
【Fairchild Semiconductor】FDMB3900AN,MOSFET N-CH 25V DUAL 8-MLP
【Fairchild Semiconductor】FDMB506P,MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MICROFET
【Fairchild Semiconductor】FDMB668P,MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8
